规格书 |
NDx05N50Z |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 4.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 50µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 28nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | * |
功率 - 最大 | 30W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220FP |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±30 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 4.7(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 30000 |
最大漏源电压 | 500 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 1500@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220F |
标准包装名称 | TO-220F |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.67(Max) |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 15.88(Max) |
最大连续漏极电流 | 5.5 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 50µA |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
供应商设备封装 | TO-220FP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 30W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 632pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 28nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 5.5 A |
正向跨导 - 闵 | 3.5 S |
RDS(ON) | 1.5 Ohms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 30 W |
最低工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 18.5 nC |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
上升时间 | 15 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 500 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 14 ns |
工厂包装数量 | 50 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.9 V |
Qg - Gate Charge | 18.5 nC |
品牌 | ON Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 5.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms |
典型导通延迟时间 | 11 ns |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
技术 | Si |
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